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Effective masses and complex dielectric function of cubic HfO2

机译:立方HfO2的有效质量和复介电常数

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摘要

The electronic band structure of cubic HfO2 is calculated using an it abinitio all-electron self--consistent linear augmented plane-wave method, withinthe framework of the local-density approximation and taking into accountfull-relativistic contributions. From the band structure, the carrier effectivemasses and the complex dielectric function are obtained. The \Gamma-isotropicheavy and light electron effective masses are shown to be several times heavierthan the electron tunneling effective mass measured recently. The imaginarypart of the complex dielectric function \epsilon_2(\omega) is in good agreementwith experimental data from ultraviolet spectroscopic ellipsometry measurementsin bulk yttria-stabilized HfO2 as well as with those performed in filmsdeposited with the tetrakis diethylamido hafnium precursor for energies smallerthan 9.5 eV.
机译:立方HfO2的电子能带结构是在局部密度近似的框架内并考虑全相对论贡献的基础上,使用全电子自洽线性增强平面波方法计算的。从能带结构中,获得载流子有效质量和复介电函数。 γ各向同性重和轻电子有效质量显示为比最近测得的电子隧穿有效质量重几倍。介电函数\ epsilon_2(\ omega)的虚部与紫外光谱椭圆偏光法在氧化钇稳定的HfO2中的实验数据以及在沉积有四乙基二乙酰胺基precursor前体的薄膜中进行的能量小于9.5 eV的实验数据非常吻合。

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